Технологии работы с флешками

[Искендер]

Создан флеш-накопит​ель емкостью в 1,6 терабайта

 

Компания BitMicro представила первый в мире твердотельный накопитель емкостью 1,6 терабайта. Скорость чтения данных с накопителя составляет от 230 до 320 мегабайт в секунду. Стоимость устройства не называется.

 

Накопитель называется E-Disk Altima E3S320. Он выполнен в 3,5-дюймовом форм-факторе. Устройство поддерживает подключение в качестве SCSI-устройства и технологию Ultra320 SCSI и не требует драйверов.

 

Время наработки E-Disk Altima на отказ составляет два миллиона часов. Рабочая температура - от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия.

 

В настоящее время BitMicro работает над системой, способной хранить до 6 терабайт данных на флеш-накопителях.

 

http://img11.nnm.ru/imagez/gallery/4/d/d/3/a/4dd3af449310057c629bd8002767782c_full.jpg

 

_ttp://lenta.ru/news/2008/02/05/bitmicro/

[Игорь Нежданов]

От это девайс.... :smile13:

[человек]

Действительно интересно.Особенно:

Рабочая температура - от минус 40 до плюс 85

:smile13:

[Искендер]

Intel приступила к поставкам фазовой памяти

 

Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство под названием Alverstone выполнено на базе 90-нм технологического процесса и вмещает 16 МБ информации. Выпуск фазовой памяти считается самым важным прорывом за последние 40 лет.

 

Корпорация Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство Alverstone с топологическим уровнем 90 нм вмещает 128 Мбит (16 МБ) информации и предназначено для конечных потребителей, которые уже сейчас смогут оценить преимущества новой технологии. По данным производителя, фазовая память (Phase Change Memory, PCM) предлагает высокие скорости чтения и записи данных, потребляя меньшее количество энергии по сравнению с современной флэш-памятью.

 

Впервые технология была описана одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в 1970 г. в журнале Electronics. Впоследствии аналитики сделали весьма оптимистичный прогноз, заявив о том, что первая такая память появится уже в 2003 г.

 

В 2004 г. компания Intel продемонстрировала образец фазовой памяти емкостью 8 Мбит с использованием топологии 180 нм. Прототип Alverstone емкостью 128 Мбит, выполненный на базе 90-нм техпроцесса, был представлен двумя годами позже, а в апреле 2007 г. компания заявила, что намерена приступить к выпуску такой памяти в течение ближайших трех месяцев.

 

«Это самый яркий прорыв за последние 40 лет, — подчеркивает Эд Доллер (Ed Doller) из компании Numonyx, основанной Intel и STMicroelectronics в мае прошлого года. — Была сделана масса попыток создать новую память, информация в которой не будет зависеть от электропитания. В этом плане PCM — самое оптимальное решение. Intel и STMicroelectronics предлагают такую память уже сейчас, сегодня. Это огромный шаг как для всей индустрии в целом, так и для наших компаний».

 

По словам экспертов, стоимость PCM будет падать быстрее, чем падает стоимость флэш-памяти. Со временем фазовая память будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом высокотехнологичном оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти — одна из основных задач, которая стоит сегодня перед ее создателями.

 

Компании Intel и STMicroelectronics не единственные, кто занимаются разработкой подобных технологий. В конце 2006 г. о создании памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, объявили IBM, Macronix и Qimonda. Однако их разработка теряла надежность уже после 100 тыс. циклов. В сентябре прошлого года об изобретении фазовой памяти в 1000 раз быстрее флэш заявили ученые из Университета Пенсильвании.

 

На днях Intel объявила о том, что нашла способ удвоить емкость фазовой памяти без увеличения числа ячеек.

 

_ttp://www.cnews.ru/news/top/index.shtml?2008/02/07/287006